第214章 接近式曝光

    我们完全可以想象一下三十万平方公里是多么的大。

    岛国的面积只不过三十七点八平方公里。

    相当于岛国这么大，我们的国家呢，大约是九百六十万平方公里，相当于我们国土面积的3％了。

    这个面积不可谓不大，但是这么大的面积仅仅误差一米，这是多么令人恐怖的一件事情啊。

    这还仅仅是dUV光刻机，就有这样的精密度，要是换作更高级的EUV光刻机呢。

    那精密度更高！

    还是拿着三十万平方公里计算，那么误差不会超过十厘米。

    “十厘米……”张星辰眼睛放着奇异的光芒，小白也不知道张星辰在想什么。

    目前为止，在我们星球上只有德意志战车的斯克尔公司可以做到这一步。

    就算是风车国的ASmL公司也是采购的这一家公司打磨的镜片。

    “我们这一次制造出来的光刻机，一共有着三个平台，这三个平台分别用来盛放掩膜，硅晶圆片还有成品。”

    放置成品的目的其实就是为了对芯片进行测试，检验一下芯片是否符合要求。

    和最后一个平台相比，前两个平台无疑要重要许多。

    这两种平台的运动方式有着两种方式，第一种就是相对静止的。

    相对静止模式的光刻机这样可以使得光线可以一下子就镌刻好芯片的线路图，速度相对来说是快一些，，但是这样的话相当于直接拓印了。

    这就导致了光线容易飞散，很大程度上影响了成品率。

    第二种模式就是光线跟着放置眼膜的平台一起运动，这样的话光线集中，镌刻出来的线路图清晰，误差小，自然的成品率就会提高。

    “不过对于机械的精密度要求非常高，我们制造出来的dUV光刻机已经可以把误差控制在十纳米之内了，对于制造45纳米的芯片而已来说已经可以了，已经可以满足要求，没有必要使用第二种模式。”

    “如果使用EUV光刻机，那么对于误差的要求会更加严格，必须要保证在两纳米之内。”

    除此之外，这里有一点需要说明，两个工作台在运动时候初速度的加速度非常快，甚至可以和发射炮弹出去时候的加速度相媲美。

    而且制造芯片的时候，光刻机必须处于恒温状态，对于温度要求非常严格，在工作状态的时候，温度的误差不能超过千分之一。

    “我们制造了这一款dUV光刻机，这两个平面是静止的这样制造起来更容易，也同样也是可以满足要求。”

    掩模和硅晶圆片的相对位置这里也有三种，第一种是相互接触；第二种是他们两个的位置非常接近，但是并不接触；第三种就是距离相对较远，相当于投影。

    也就是接触式曝光。接近式曝光、投影式曝光这三种。

    其中效果最好的是投影式曝光，最差的就是接触式曝光。

    “我们选择中间的接近式曝光，因为dUV光刻机没有必要用最好的，这样大大提高了难度和成本，以及功能富足。”
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